15002134279

liyf@porationzkkj.com、shij@porationzkkj.com

苏州市昆山市张浦镇同舟路260号

您的当前位置: 首页>>产品中心>>原子层沉积(ALD)

ALD薄膜沉积

ALD薄膜沉积

基底尺寸2”、4”、6”wafer应用领域Al2O3, HfO2, ZrO2、 MoOx、 VOx、 TiO2, SiO2, AlN,SixNy 等配置简述配置 3 路液态源,一路固态源,和一路臭氧源···

基底尺寸

2”、4”、6”wafer

应用领域

Al2O3, HfO2, ZrO2、 MoOx、 VOx、 TiO2, SiO2, AlN,SixNy 等

配置简述

配置 3 路液态源,一路固态源,和一路臭氧源

成膜均匀性

<±1% @Al2O3

温度均匀性

ΔT<2℃

基底传送

日本JEL全自动机械手

腔体布局

四面体TM+LL+工艺室

图片.png图片.png

相关标签:

上一篇: 没有了!

下一篇: 没有了!