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ALD薄膜沉积
基底尺寸2”、4”、6”wafer应用领域Al2O3, HfO2, ZrO2、 MoOx、 VOx、 TiO2, SiO2, AlN,SixNy 等配置简述配置 3 路液态源,一路固态源,和一路臭氧源···
基底尺寸 | 2”、4”、6”wafer |
应用领域 | Al2O3, HfO2, ZrO2、 MoOx、 VOx、 TiO2, SiO2, AlN,SixNy 等 |
配置简述 | 配置 3 路液态源,一路固态源,和一路臭氧源 |
成膜均匀性 | <±1% @Al2O3 |
温度均匀性 | ΔT<2℃ |
基底传送 | 日本JEL全自动机械手 |
腔体布局 | 四面体TM+LL+工艺室 |
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