文中指出在 PVK/C60界面存在着4种能量损失的途径:

1.钙钛矿自己内部的缺陷造成损失。

2.钙钛矿上的空穴与C60上电子复合损失。

3.C60表面的空穴与电子复合损失。

4.C60内部的空穴与电子复合损失。

为了进一步抑制这2种缺陷模式,一般做法如下：

1.降低C60/PVK界面空穴浓度。

2.引入HBL层。

3.减少C60/PVK的接触点位(图案化PVK表面)。

即便C60存在这个问题,但是C60相对于其他ETL材料也具无与伦比的优势:

  1.高电子亲和力和迁移率。

  2.它们的LUMO与许多常见的钙钛矿的适当。

  3.球形具有更好的电子垂直传输的能力。

C60的溶解性和团聚结晶问题，通过溶液法难以制备出形貌良好的C60薄膜，因此采用热蒸发是目前C60最好的加工方式。

提一个问题:目前大多钙钛矿电池结构引入HBL层BCP,但为何BCP不直接插在PVK/C60中间，而都是插在C60/金属的界面？有兴趣的团队可以联系我司，或者问下点评留言均可。

普诺逊真空是一家专业从事钙钛矿生产的设备商，目前拥有各种尺寸热蒸发验证平台。欢迎有兴趣的团队来访洽谈。